Những rò rỉ xung quanh Samsung Galaxy S8 vẫn tiếp tục. Nhân dịp này, dữ liệu sức mạnh trong bài kiểm tra Geekbench của Samsung Galaxy S8 + đã xuất hiện trên mạng. Theo dữ liệu bị rò rỉ, bài kiểm tra hiệu năng sẽ được thực hiện trên một thiết bị có bộ vi xử lý Qualcomm Snapdragon 835, RAM 4 GB và chạy Android 7.0. Kết quả thật tuyệt vời.
Cách đây ít phút, trang web rò rỉ Slashleaks đã công bố hình ảnh về một bài kiểm tra hiệu năng được thực hiện, về mặt lý thuyết, đối với Samsung Galaxy S8 +. Cụ thể, đó là bài kiểm tra Geekbench nổi tiếng, được sử dụng để đo hiệu suất của bộ xử lý và bộ nhớ của điện thoại di động.
Kiểm tra cung cấp cho chúng tôi một số dữ liệu đầu cuối. Nó là một thiết bị có bộ vi xử lý Snapdragon 835 và 4 GB RAM. Mặc dù bài kiểm tra không phản ánh điều đó nhưng chúng tôi có thể cho bạn biết rằng bộ xử lý này bao gồm bốn lõi chạy ở tốc độ 2,45 GHz và bốn lõi khác ở tốc độ 1,9 GHz. Chúng ta cũng có thể thấy trong dữ liệu rằng thiết bị đầu cuối đang chạy Android 7.0.
Thành thật mà nói, kết quả đã làm chúng tôi ngạc nhiên. Samsung Galaxy S8 + được cho là đã đạt được 6.084 điểm trong bài kiểm tra “Đa lõi”. Kết quả này sẽ kém hơn so với Samsung Galaxy S7, đạt 6.347 điểm trong cùng một bài kiểm tra. Nó cũng sẽ thấp hơn trong bài kiểm tra “Single-Core”, với kết quả là 1.929 điểm so với 2.163 điểm của người tiền nhiệm của nó. Tuy nhiên, công bằng mà nói thì đơn vị S7 được thảo luận đã tích hợp bộ xử lý Exynos 8890.
Snapdragon 835 là bộ vi xử lý đầu tiên được sản xuất với kích thước 10 nanomet. Theo dữ liệu của Qualcomm, họ đã cố gắng làm cho nó mỏng hơn 30% và hiệu quả hơn 40% so với người tiền nhiệm.
Tuy nhiên, chúng ta không được quên rằng dữ liệu này đã bị rò rỉ và có thể không có thật. Nó thậm chí có thể là một thử nghiệm được thực hiện với một đơn vị chưa hoàn thành.
